长禾实验室拥有--的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有**的测试仪器设备100余台套，专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供优质高效的技术服务。
长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。
长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。
| 二极管 | 1 | 反向漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4016.4 | 只测： 0～100mA |
| 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4016 | 只测： 0～100mA | |||
| 2 | 反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4021.2 | 只测： 0～3.5kV | |
| 3 | 正向压降 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 | 只测： IS：0A～6000A | |
| 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4011 | 只测： IS：0A～6000A | |||
| 4 | 浪涌电流 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4066 | 只测： If：0A～9000A | |
| 5 | 反向恢复电荷 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只测： 1nC～100µC | |
| 反向恢复时间 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只测： 10ns～2us | ||
| 6 | 二极管反压变化率 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3476 | 只测： VR：5V～3300V， IF：1A～1500A | |
| 7 | 单脉冲雪崩能量 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4064 | 只测： L：0.01mH～159.9mH， IAS：0.1A～1500A | |
| 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3136 | 只测： Ph：0.1W～80W | ||
| 8 | 总电容电荷 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz | |
| 9 | 结电容 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 | 只测： -3kV～3kV,0～1MHz | |
| 晶闸管 | 1 | 门极触发电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1 | 只测： 100nA～500mA |
| 2 | 门极触发电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1 | 只测： 5mV～5V | |
| 3 | 维持电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2 | 只测： 10µA～1.5A | |
| 4 | 擎住电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2 | 只测： 10µA～1.5A | |
| 5 | 浪涌电流 | 半导体测试方法测试标准 JB/T 7626-2013 | 只测： ITSM：0A～9000A | |
| 6 | 正向漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4206.1 | 只测： 1nA～100mA | |
| 7 | 反向漏电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4211.1 | 只测： 1nA～100mA | |
| 8 | 正向导通压降 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4226.1 | 只测： IT：0～6000A | |
| 9 | 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3181 | 只测： Ph：0.1W～250W | |
| 晶体管 | 1 | 直流增益 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3076.1 | 只测： 1～50000 |
| 2 | 集射极饱和压降 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3071 | 只测： 0～1250A | |
| 3 | 集射电极关态电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3041.1 | 只测： 0～100mA | |
| 4 | 集基电极关态电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3036.1 | 只测： 0～100mA | |
| 5 | 射基极关态电流 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3061.1 | 只测： 0～100mA | |
| 6 | 集射极反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3011.2 | 只测： -3.5kV～3.5kV | |
| 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3011 | 只测： -3.5kV～3.5kV | |||
| 7 | 集基极反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3001.1 | 只测： -3.5kV～3.5kV | |
| 8 | 射基极反向击穿电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3026.1 | 只测： -3.5kV～3.5kV | |
| 9 | 基射极电压 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3066.1 | 只测： 0V～1250A | |
| 10 | 稳态热阻 | 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3131.6 | 只测： Ph：0.1W～250W |