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通过CNAS认可的第三方实验室，可靠性实验室，元器件实验室

产品：	浏览次数：0通过CNAS认可的第三方实验室，可靠性实验室，元器件实验室
品牌：	长禾实验室
单价：	188.00元/台
最小起订量：	1 台
供货总量：	1000 台
发货期限：	自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至：	长期有效
最后更新：	2022-12-27

详细信息

长禾实验室检测能力范围
1	功率金属氧化物场效应管	1	漏源间反向击穿电压	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1	只测： -3.5kV～3.5kV
		1	漏源间反向击穿电压	半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407	只测： -3.5kV～3.5kV
		2	通态电阻	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1	只测： 0～10kΩ,,0～1500A
		3	阈值电压	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3404	只测： -10V～10V
		4	漏极反向电流	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1	只测： -100mA～100mA
		5	栅极漏电流	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1	只测： -100mA～101mA
		6	体二极管压降	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4	只测： 0A～1500A
		7	跨导	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2	只测： 1ms～1000s
		8	开关时间	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2	只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
		9	开关时间	半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472	只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
		10	体二极管反向恢复时间	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1	只测： 10ns～2µs
		11	体二极管反向恢复电荷	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1	只测： 1nC～100µC
		12	栅极电荷	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3	只测： Qg：0.5nC～500nC
		13	单脉冲雪崩能量	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2	只测： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A
		14	栅极串联等效电阻	功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002)	只测： 0.1Ω～50Ω
		15	稳态热阻	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3161.1	只测： Ph：0.1W～250W
		16	稳态热阻	半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3161	只测： Ph：0.1W～250W
		17	输入电容	半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.10	只测： -3kV～3kV,0～1MHz
		18	输出电容	半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.11	只测： -3kV～3kV,0～1MHz
		19	反向传输电容	半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.12	只测： -3kV～3kV,0～1MHz
		20	老炼试验	半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042	只测：条件A、条件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃
		21	老炼试验	温度，反偏和操作寿命试验 JESD22-A108F:2017	只测： HTRB和HTGB试验
		22	间歇功率试验	半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042	只测：条件D（间歇功率）
		23	稳态功率试验	半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042	只测：条件C（稳态功率）
2	二极管	1	反向漏电流	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4016.4	只测： 0～100mA
		1	反向漏电流	半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4016	只测： 0～100mA
		2	反向击穿电压	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4021.2	只测： 0～3.5kV
		3	正向压降	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4	只测： IS：0A～6000A
		3	正向压降	半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4011	只测： IS：0A～6000A
		4	浪涌电流	半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 4066	只测： If：0A～9000A
		5	反向恢复电荷	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1	只测： 1nC～100µC
		5	反向恢复时间	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1	只测： 10ns～2us
		6	二极管反压变化率	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3476	只测： VR：5V～3300V， IF：1A～1500A
		7	单脉冲雪崩能量	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4064	只测： L：0.01mH～159.9mH， IAS：0.1A～1500A
		7	稳态热阻	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3136	只测： Ph：0.1W～80W
		8	总电容电荷	半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.8	只测： -3kV～3kV,0～1MHz
		9	结电容	半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.8	只测： -3kV～3kV,0～1MHz
3	晶闸管	1	门极触发电流	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1	只测： 100nA～500mA
		2	门极触发电压	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4221.1	只测： 5mV～5V
		3	维持电流	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2	只测： 10µA～1.5A
		4	擎住电流	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4201.2	只测： 10µA～1.5A
		5	浪涌电流	半导体测试方法测试标准 JB/T 7626-2013	只测： ITSM：0A～9000A
		6	正向漏电流	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4206.1	只测： 1nA～100mA
		7	反向漏电流	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4211.1	只测： 1nA～100mA
		8	正向导通压降	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4226.1	只测： IT：0～6000A
		9	稳态热阻	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3181	只测： Ph：0.1W～250W
4	晶体管	1	直流增益	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3076.1	只测： 1～50000
		2	集射极饱和压降	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3071	只测： 0～1250A
		3	集射电极关态电流	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3041.1	只测： 0～100mA
		4	集基电极关态电流	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3036.1	只测： 0～100mA
		5	射基极关态电流	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3061.1	只测： 0～100mA
		6	集射极反向击穿电压	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3011.2	只测： -3.5kV～3.5kV
		6	集射极反向击穿电压	半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3011	只测： -3.5kV～3.5kV
		7	集基极反向击穿电压	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3001.1	只测： -3.5kV～3.5kV
		8	射基极反向击穿电压	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3026.1	只测： -3.5kV～3.5kV
		9	基射极电压	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3066.1	只测： 0V～1250A
		10	稳态热阻	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3131.6	只测： Ph：0.1W～250W
5	绝缘栅双极型晶体管	1	集射间反向击穿电压	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1	只测： -3.5kV～3.5kV
		1	集射间反向击穿电压	半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407	只测： -3.5kV～3.5kV
		2	通态电压	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3405.1	只测： 0～1500A
		3	通态电阻	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1	只测： 0～10kΩ
		4	集电极反向漏电流	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1	只测： 0～100mA
		5	栅极漏电流	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1	只测： 0～100mA
		6	跨导	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2	只测： 1ms～1000s
		7	开关时间&损耗	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3477.1	只测： VD：5V～3.3kV， ID：0.5A～1500A
		7	开关时间&损耗	半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.11,6.3.12	只测： 5V～3.3kV
		8	短路耐受时间	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3479	只测： ISC：10A～5000A ， TSC：1us～50us
		8	短路耐受时间	半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.6	只测： 5V～3.3kV
		9	栅极电荷	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3	只测： Qg：0.5nC～100uC
		9	栅极电荷	半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.9	只测： 5V～3.3kV
		10	二极管反向恢复时间	半导体器件分立器件第2部分：整流二极管 IEC 60747-2:2016 6.1.6	只测： 5V～3.3kV
		11	单脉冲雪崩能量	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2	只测： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A
		12	栅极串联等效电阻	功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002)	只测： 0.1Ω～50Ω
		13	稳态热阻	半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3103	只测： Ph：0.1W～250W
		16	输入电容	半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.6	只测： -3kV～3kV,0～1MHz
		17	输出电容	半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.7	只测： -3kV～3kV,0～1MHz
		18	反向传输电容	半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.3.8	只测： -3kV～3kV,0～1MHz
		19	-大反偏安全工作区	半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管 IEC 60747-9:2007 6.2.5	只测： 5V～3.3kV
6	通用电子产品	1	高低温循环试验	半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1051	只测：温度： -80℃～150℃，容积： 40cm×37.5cm×40cm
		1	高低温循环试验	温度循环 JESD22-A104E:2014	只测：温度： -80℃～150℃，容积： 40cm×37.5cm×40cm
		2	高温试验	微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 1008.1	只测： -高温度：200℃，容积： 61cm×90cm×60cm
				半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1031, 1032	只测： -高温度：200℃，容积： 61cm×90cm×60cm
				电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温 GB/T 2423.2-2008	只测： -高温度：200℃，容积： 61cm×90cm×60cm
		3	低温试验	电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温 GB/T 2423.1-2008	只测： -低温度：-70℃，容积： 40cm×37.5cm×40cm
		4	高温存储寿命试验	高温存储寿命试验 JESD22-A103E:2015	只测： -高温度：180℃，容积： 58cm×76cm×75cm
		5	低温存储寿命试验	低温存储寿命试验 JESD22-A119A:2015	只测： -低温度：-70℃，容积： 40cm×37.5cm×40cm

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